STD65N55LF3
STD65N55LF3
رقم القطعة:
STD65N55LF3
الصانع:
ST
وصف:
MOSFET N-CH 55V 80A DPAK
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
15996 Pieces
ورقة البيانات:
STD65N55LF3.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل STD65N55LF3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك STD65N55LF3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى STD65N55LF3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:2.5V @ 250µA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:DPAK
سلسلة:STripFET™ III
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:8.5 mOhm @ 32A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):110W (Tc)
التعبئة والتغليف:Original-Reel®
حزمة / كيس:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
اسماء اخرى:497-10877-6
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:26 Weeks
الصانع الجزء رقم:STD65N55LF3
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:2200pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:20nC @ 5V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 55V 80A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount DPAK
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):5V, 10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):55V
وصف:MOSFET N-CH 55V 80A DPAK
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:80A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات