يشترى STB5N52K3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
STB5N52K3
- رقم القطعة:
- STB5N52K3
- الصانع:
- ST
- وصف:
- MOSFET N-CH 525V 4.4A D2PAK
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14034 Pieces
- ورقة البيانات:
- STB5N52K3.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل STB5N52K3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك STB5N52K3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4.5V @ 50µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | D2PAK |
| سلسلة: | SuperMESH3™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 1.5 Ohm @ 2.2A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 70W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| اسماء اخرى: | 497-11091-2 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | STB5N52K3 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 545pF @ 100V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 17nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 525V 4.4A (Tc) 70W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 525V |
| وصف: | MOSFET N-CH 525V 4.4A D2PAK |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 4.4A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSTB5N52K3
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFA20N50P3 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 20A TO-263AA | تحقيق |
 |
IXFP16N50P3 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 16A TO-220 | تحقيق |
 |
FQB630TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK | تحقيق |
 |
IPB117N20NFDATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 84A D2PAK | تحقيق |
 |
IXTY18P10T | IXYS | MOSFET P-CH 100V 18A TO-252 | تحقيق |
|
STB5NK50ZT4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 4.4A D2PAK | تحقيق |
 |
STB5N62K3 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 620V 4.2A D2PAK | تحقيق |
|
IRFS41N15DTRLP | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK | تحقيق |
 |
IXFT50N85XHV | IXYS | 850V/50A ULTRA JUNCTION X-CLASS | تحقيق |
 |
STB5N80K5 | STMicroelectronics | N-CHANNEL 800 V, 1.50 OHM TYP., | تحقيق |
|
IXTA98N075T | IXYS | MOSFET N-CH 75V 98A TO-263 | تحقيق |
 |
IRFHS8242TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 9.9A PQFN | تحقيق |
 |
STB5NK52ZD-1 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 520V 4.4A I2PAK | تحقيق |
 |
C3M0120100K | Cree/Wolfspeed | 1000V, 120 MOHM, G3 SIC MOSFET | تحقيق |
|
NTP5864NG | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 63A TO-220 | تحقيق |
 |
AO4423L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET P-CH 30V 17A 8SOIC | تحقيق |
 |
NTD4302T4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 8.4A DPAK | تحقيق |
 |
HUF75344G3 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 55V 75A TO-247 | تحقيق |
 |
STL75N8LF6 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 80V 75A POWERFLAT56 | تحقيق |
|
STB5NK50Z-1 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 4.4A I2PAK | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers