يشترى SQJ962EP-T1-GE3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
SQJ962EP-T1-GE3
- رقم القطعة:
- SQJ962EP-T1-GE3
- الصانع:
- Vishay / Siliconix
- وصف:
- MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 19047 Pieces
- ورقة البيانات:
- SQJ962EP-T1-GE3.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SQJ962EP-T1-GE3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SQJ962EP-T1-GE3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة: | PowerPAK® SO-8 Dual |
| سلسلة: | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 60 mOhm @ 4.3A, 10V |
| السلطة - ماكس: | 25W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | PowerPAK® SO-8 Dual |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | SQJ962EP-T1-GE3 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 475pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 14nC @ 10V |
| نوع FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET الميزة: | Logic Level Gate |
| وصف موسع: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 8A 25W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 60V |
| وصف: | MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 8A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSQJ962EP-T1-GE3
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
FMP26-02P | IXYS | MOSFET N/P-CH 200V 26A/17A I4PAC | تحقيق |
 |
AON7804_102 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET 2N-CH 30V 9A 8DFN | تحقيق |
 |
SQJ960EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 60V 8A | تحقيق |
 |
IRF7755GTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 20V 3.9A 8TSSOP | تحقيق |
 |
SI6983DQ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 4.6A 8TSSOP | تحقيق |
 |
DMP2160UFDB-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 6UDFN | تحقيق |
|
SQJ963EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET ARRAY 2P-CH 60V SO8 | تحقيق |
 |
FDMC8200 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 8A/12A POWER33 | تحقيق |
 |
GMM3X60-015X2-SMD | IXYS | MOSFET 6N-CH 150V 50A 24-SMD | تحقيق |
 |
NX3020NAKVYL | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 30V 0.2A SOT666 | تحقيق |
|
BSC0924NDIATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8 | تحقيق |
|
SQJ968EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET ARRAY 2N-CH 60V SO8 | تحقيق |
|
DMN1029UFDB-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN | تحقيق |
 |
SI5975DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 12V 3.1A CHIPFET | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers