SQJ951EP-T1_GE3
SQJ951EP-T1_GE3
رقم القطعة:
SQJ951EP-T1_GE3
الصانع:
Vishay / Siliconix
وصف:
MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
15741 Pieces
ورقة البيانات:
SQJ951EP-T1_GE3.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SQJ951EP-T1_GE3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SQJ951EP-T1_GE3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى SQJ951EP-T1_GE3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:2.5V @ 250µA
تجار الأجهزة حزمة:PowerPAK® SO-8 Dual
سلسلة:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:17 mOhm @ 7.5A, 10V
السلطة - ماكس:56W
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:PowerPAK® SO-8 Dual
اسماء اخرى:SQJ951EP-T1-GE3
SQJ951EP-T1-GE3-ND
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:18 Weeks
الصانع الجزء رقم:SQJ951EP-T1_GE3
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:1680pF @ 10V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:50nC @ 10V
نوع FET:2 P-Channel (Dual)
FET الميزة:Standard
وصف موسع:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 30A 56W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):30V
وصف:MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:30A
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات