العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > SQ2325ES-T1_GE3
SQ2325ES-T1_GE3
رقم القطعة:
SQ2325ES-T1_GE3
الصانع:
Vishay / Siliconix
وصف:
MOSFET P-CH 150V 840MA SOT23-3
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
18252 Pieces
ورقة البيانات:
SQ2325ES-T1_GE3.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SQ2325ES-T1_GE3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SQ2325ES-T1_GE3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى SQ2325ES-T1_GE3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:3.5V @ 250µA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-236 (SOT-23)
سلسلة:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:1.77 Ohm @ 500mA, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):3W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
اسماء اخرى:SQ2325ES-T1_GE3TR
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 175°C (TA)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:18 Weeks
الصانع الجزء رقم:SQ2325ES-T1_GE3
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:250pF @ 50V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:10nC @ 10V
نوع FET:P-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:P-Channel 150V 840mA (Tc) 3W (Tc) Surface Mount TO-236 (SOT-23)
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):150V
وصف:MOSFET P-CH 150V 840MA SOT23-3
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:840mA (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لSQ2325ES-T1_GE3

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IRF6611 Image IRF6611 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET تحقيق
IPI024N06N3GHKSA1 Image IPI024N06N3GHKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3 تحقيق
AOD442 Image AOD442 Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET N-CH 60V 38A TO-252 تحقيق
IXTT3N200P3HV Image IXTT3N200P3HV IXYS 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF تحقيق
CEDM8004 BK Image CEDM8004 BK Central Semiconductor Corp MOSFET P-CH 30V 0.45A SOT883 تحقيق
IRL3302S Image IRL3302S Infineon Technologies MOSFET N-CH 20V 39A D2PAK تحقيق
2N7000RLRAG ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 تحقيق
CSD18536KTT Texas Instruments MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK تحقيق
CSD19502Q5B Texas Instruments MOSFET N-CH 80V 100A 8SON تحقيق
DMP32D5LFA-7B Image DMP32D5LFA-7B Diodes Incorporated MOSFET P-CH 30V 0.3A DFN0806-3 تحقيق
IRL3715ZCSTRLP Image IRL3715ZCSTRLP Infineon Technologies MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK تحقيق
FQB1P50TM Image FQB1P50TM Fairchild/ON Semiconductor MOSFET P-CH 500V 1.5A D2PAK تحقيق
IXFX180N15P Image IXFX180N15P IXYS MOSFET N-CH 150V 180A PLUS 247 تحقيق
IRF614PBF Image IRF614PBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 250V 2.7A TO-220AB تحقيق
ZXMN2A01FTA Image ZXMN2A01FTA Diodes Incorporated MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3 تحقيق
SI7465DP-T1-GE3 Image SI7465DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8 تحقيق
IPP65R190CFDXKSA1 Image IPP65R190CFDXKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220 تحقيق
STB20N65M5 Image STB20N65M5 STMicroelectronics MOSFET N-CH 650V 18A D2PAK تحقيق
STP80NF70 Image STP80NF70 STMicroelectronics MOSFET N-CH 68V 98A TO-220AB تحقيق
ZXMN10A11K Image ZXMN10A11K Diodes Incorporated MOSFET N-CH 100V 2.4A DPAK تحقيق

Latest الأخبار