يشترى SPP11N60CFDHKSA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
SPP11N60CFDHKSA1
- رقم القطعة:
- SPP11N60CFDHKSA1
- وصف:
- MOSFET N-CH 600V 11A TO-220
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13103 Pieces
- ورقة البيانات:
- SPP11N60CFDHKSA1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SPP11N60CFDHKSA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SPP11N60CFDHKSA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5V @ 500µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-TO220-3-1 |
| سلسلة: | CoolMOS™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 440 mOhm @ 7A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 125W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-220-3 |
| اسماء اخرى: | SP000014533 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | SPP11N60CFDHKSA1 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1200pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 64nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 600V 11A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 600V |
| وصف: | MOSFET N-CH 600V 11A TO-220 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 11A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSPP11N60CFDHKSA1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
SPP11N60S5HKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 11A TO-220AB | تحقيق |
|
SPP11N65C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 11A TO-220 | تحقيق |
 |
FDWS86369_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET NCH 80V 65A POWER56 | تحقيق |
|
SPP11N80C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 11A TO-220AB | تحقيق |
|
SPP11N60CFDXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 11A TO-220 | تحقيق |
 |
PHD71NQ03LT,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 75A DPAK | تحقيق |
 |
SPP11N60S5XKSA1 | Infineon Technologies | LOW POWER_LEGACY | تحقيق |
|
SPP11N60C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 11A TO-220AB | تحقيق |
 |
BSP149 E6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 | تحقيق |
|
AOH3110 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 100V 1A SOT223 | تحقيق |
 |
IXFX170N20T | IXYS | MOSFET N-CH 200V 170A PLUS247 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog