يشترى SPN03N60C3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
SPN03N60C3
- رقم القطعة:
- SPN03N60C3
- وصف:
- MOSFET N-CH 650V 0.7A SOT-223
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 19150 Pieces
- ورقة البيانات:
- SPN03N60C3.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SPN03N60C3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SPN03N60C3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 3.9V @ 135µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-SOT223-4 |
| سلسلة: | CoolMOS™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 1.4 Ohm @ 2A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 1.8W (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-261-4, TO-261AA |
| اسماء اخرى: | SP000014455 SP000101879 SPN03N60C3T SPN03N60C3XT |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | SPN03N60C3 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 400pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 17nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 650V 700mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 650V |
| وصف: | MOSFET N-CH 650V 0.7A SOT-223 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 700mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSPN03N60C3
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
PSMN0R9-25YLC,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK | تحقيق |
 |
CSD18510Q5BT | Texas Instruments | 40V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSF | تحقيق |
 |
FDPF17N60NT | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V TO-220F-3 | تحقيق |
 |
SPN03N60S5 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 0.7A SOT-223 | تحقيق |
 |
HUFA76419D3S | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 20A DPAK | تحقيق |
 |
NDF04N60ZG | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 4.8A TO-220FP | تحقيق |
 |
ZXMN10A08E6TA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT-23-6 | تحقيق |
 |
SI5486DU-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET | تحقيق |
 |
IXTA3N110 | IXYS | MOSFET N-CH 1100V 3A TO-263 | تحقيق |
 |
BSC884N03MS G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 34V 17A TDSON-8 | تحقيق |
 |
IXFT28N50Q | IXYS | MOSFET N-CH 500V 28A TO-268(D3) | تحقيق |
 |
DMP2006UFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 17.5A POWERDI | تحقيق |
 |
STU80N4F6 | STMicroelectronics | MOSFET N CH 40V 80A IPAK | تحقيق |
 |
RS1E180BNTB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 18A 8HSOP | تحقيق |
|
FDD2582 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 150V 21A DPAK | تحقيق |
 |
STB15NK50ZT4 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 14A D2PAK | تحقيق |
 |
IRFL9014PBF | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223 | تحقيق |
 |
STP5N62K3 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 620V 4.2A TO220AB | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog