يشترى SPI100N03S2-03 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
SPI100N03S2-03
- رقم القطعة:
- SPI100N03S2-03
- وصف:
- MOSFET N-CH 30V 100A I2PAK
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18727 Pieces
- ورقة البيانات:
- SPI100N03S2-03.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SPI100N03S2-03 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SPI100N03S2-03 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-TO262-3-1 |
| سلسلة: | OptiMOS™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 3.3 mOhm @ 80A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 300W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| اسماء اخرى: | SP000013492 SPI100N03S203X |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | SPI100N03S2-03 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 7020pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 150nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 30V 100A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
| وصف: | MOSFET N-CH 30V 100A I2PAK |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 100A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSPI100N03S2-03
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IRFRC20TRR | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 2A DPAK | تحقيق |
 |
2SK3816-DL-1EX | ON Semiconductor | MOSFET N-CH | تحقيق |
 |
SPI10N10L | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 10.3A I2PAK | تحقيق |
|
SPI100N03S2L-03 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A TO-262 | تحقيق |
 |
IRF7459 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC | تحقيق |
|
SPI100N03S2L03 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A TO-262 | تحقيق |
|
SPI100N08S2-07 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 100A I2PAK | تحقيق |
 |
BSP320S E6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223 | تحقيق |
 |
DMN2004TK-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 20V 0.54A SOT-523 | تحقيق |
|
SPI10N10 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 10.3A I2PAK | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog