يشترى SPD04N60C3BTMA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
SPD04N60C3BTMA1
- رقم القطعة:
- SPD04N60C3BTMA1
- وصف:
- MOSFET N-CH 650V 4.5A DPAK
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18578 Pieces
- ورقة البيانات:
- SPD04N60C3BTMA1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SPD04N60C3BTMA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SPD04N60C3BTMA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 3.9V @ 200µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-TO252-3 |
| سلسلة: | CoolMOS™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 950 mOhm @ 2.8A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 50W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| اسماء اخرى: | SP000013656 SP000083089 SP000313944 SPD04N60C3 SPD04N60C3INTR SPD04N60C3INTR-ND SPD04N60C3T SPD04N60C3XT SPD04N60C3XTINTR SPD04N60C3XTINTR-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | SPD04N60C3BTMA1 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 490pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 25nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 650V 4.5A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 650V |
| وصف: | MOSFET N-CH 650V 4.5A DPAK |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 4.5A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSPD04N60C3BTMA1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
FDB2532_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 150V 79A D2PAK | تحقيق |
 |
SPD04N60S5 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-252 | تحقيق |
|
SPD04N60S5BTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252 | تحقيق |
 |
IXFR44N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 24A ISOPLUS247 | تحقيق |
|
SPD04N80C3ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 4A 3TO252 | تحقيق |
 |
SPD04N60C3ATMA1 | Infineon Technologies | LOW POWER_LEGACY | تحقيق |
|
SPD04P10PLGBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 100V 4.2A TO252-3 | تحقيق |
|
SPD04P10PGBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 100V 4A TO252-3 | تحقيق |
|
SPD04N50C3ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK | تحقيق |
|
SPD04N50C3T | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 560V 4.5A DPAK | تحقيق |
|
SPD04N80C3BTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 4A TO-252 | تحقيق |
|
FDB035AN06A0_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 22A TO-263AB | تحقيق |
|
SPD04N50C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 560V 4.5A DPAK | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers