العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > SKI10297
SKI10297
SKI10297
رقم القطعة:
SKI10297
الصانع:
Sanken Electric Co., Ltd.
وصف:
MOSFET N-CH 100V 34A TO-263
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
17167 Pieces
ورقة البيانات:
SKI10297.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SKI10297 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SKI10297 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى SKI10297 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:2.5V @ 650µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-263
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:27.9 mOhm @ 17.1A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):90W (Tc)
التعبئة والتغليف:Cut Tape (CT)
حزمة / كيس:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
اسماء اخرى:SKI10297CT
درجة حرارة التشغيل:150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:SKI10297
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:2540pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:35.8nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 100V 34A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount TO-263
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):100V
وصف:MOSFET N-CH 100V 34A TO-263
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:34A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لSKI10297

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IRF840STRLPBF Image IRF840STRLPBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK تحقيق
2N7000RLRA ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 تحقيق
IPP100N06S205AKSA1 Image IPP100N06S205AKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3 تحقيق
ZXMN2A01E6TA Image ZXMN2A01E6TA Diodes Incorporated MOSFET N-CH 20V 2.44 A SOT-23-6 تحقيق
SPU07N60C3 Image SPU07N60C3 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-251 تحقيق
PSMN2R8-40BS,118 Image PSMN2R8-40BS,118 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK تحقيق
IRF820S Image IRF820S Vishay Siliconix MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK تحقيق
RFP14N05L Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 50V 14A TO-220AB تحقيق
SKI10123 Image SKI10123 Sanken MOSFET N-CH 100V 66A TO-263 تحقيق
STW24NM60N Image STW24NM60N STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 17A TO247 تحقيق
ZVN4424ASTOB Diodes Incorporated MOSFET N-CH 240V 0.26A TO92-3 تحقيق
ZVP0545A Image ZVP0545A Diodes Incorporated MOSFET P-CH 450V 0.045A TO92-3 تحقيق
HUFA75345S3ST Image HUFA75345S3ST Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK تحقيق
IXTV30N50PS IXYS MOSFET N-CH 500V 30A PLUS220-SMD تحقيق
IRFR4105ZTRL Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 30A DPAK تحقيق
AUIRLU024Z Image AUIRLU024Z Infineon Technologies MOSFET N CH 55V 16A SOT 223 تحقيق
SKI10195 Image SKI10195 Sanken MOSFET N-CH 100V 47A TO-263 تحقيق
AUIRF3305 Image AUIRF3305 Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 140A TO220AB تحقيق
IXFT74N20 Image IXFT74N20 IXYS MOSFET N-CH 200V 74A TO-268 تحقيق
IRLH7134TRPBF Image IRLH7134TRPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 26A 8PQFN تحقيق

Latest الأخبار