SIZ710DT-T1-GE3
SIZ710DT-T1-GE3
رقم القطعة:
SIZ710DT-T1-GE3
الصانع:
Vishay / Siliconix
وصف:
MOSFET 2N-CH 20V 16A POWERPAIR
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
13549 Pieces
ورقة البيانات:
SIZ710DT-T1-GE3.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SIZ710DT-T1-GE3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SIZ710DT-T1-GE3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى SIZ710DT-T1-GE3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:2.2V @ 250µA
تجار الأجهزة حزمة:6-PowerPair™
سلسلة:TrenchFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:6.8 mOhm @ 19A, 10V
السلطة - ماكس:27W, 48W
التعبئة والتغليف:Original-Reel®
حزمة / كيس:6-PowerPair™
اسماء اخرى:SIZ710DT-T1-GE3DKR
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:24 Weeks
الصانع الجزء رقم:SIZ710DT-T1-GE3
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:820pF @ 10V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:18nC @ 10V
نوع FET:2 N-Channel (Half Bridge)
FET الميزة:Logic Level Gate
وصف موسع:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 20V 16A, 35A 27W, 48W Surface Mount 6-PowerPair™
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):20V
وصف:MOSFET 2N-CH 20V 16A POWERPAIR
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:16A, 35A
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات