SIS478DN-T1-GE3
SIS478DN-T1-GE3
رقم القطعة:
SIS478DN-T1-GE3
الصانع:
Vishay / Siliconix
وصف:
MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
19259 Pieces
ورقة البيانات:
SIS478DN-T1-GE3.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SIS478DN-T1-GE3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SIS478DN-T1-GE3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى SIS478DN-T1-GE3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:2.5V @ 250µA
فغس (ماكس):±25V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:PowerPAK® 1212-8
سلسلة:TrenchFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:20 mOhm @ 8A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):3.2W (Ta), 15.6W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:PowerPAK® 1212-8
اسماء اخرى:SIS478DN-T1-GE3-ND
SIS478DN-T1-GE3TR
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:24 Weeks
الصانع الجزء رقم:SIS478DN-T1-GE3
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:398pF @ 15V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:10.5nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 30V 12A (Tc) 3.2W (Ta), 15.6W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):4.5V, 10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):30V
وصف:MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:12A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات