يشترى SIHU6N65E-GE3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
SIHU6N65E-GE3
- رقم القطعة:
- SIHU6N65E-GE3
- الصانع:
- Vishay / Siliconix
- وصف:
- MOSFET N-CH 650V 6A IPAK
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16407 Pieces
- ورقة البيانات:
- SIHU6N65E-GE3.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SIHU6N65E-GE3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SIHU6N65E-GE3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±30V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | IPAK (TO-251) |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 600 mOhm @ 3A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 78W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 19 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | SIHU6N65E-GE3 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 820pF @ 100V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 48nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 650V 7A (Tc) 78W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251) |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 650V |
| وصف: | MOSFET N-CH 650V 6A IPAK |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 7A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSIHU6N65E-GE3
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
SIHP18N50C-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 18A TO220 | تحقيق |
 |
IRF1010ZLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 75A TO-262 | تحقيق |
 |
IRLMS6702TR | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 2.4A 6-TSOP | تحقيق |
 |
FQPF9N50CT | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 9A TO-220F | تحقيق |
 |
IXFP130N10T2 | IXYS | MOSFET N-CH 100V 130A TO-220 | تحقيق |
 |
2N7636-GA | GeneSiC Semiconductor | TRANS SJT 650V 4A TO276 | تحقيق |
 |
SIHU6N62E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 620V 6A TO-251 | تحقيق |
 |
IXTA3N100D2 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 3A D2PAK | تحقيق |
|
IRLMS1503TR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 3.2A 6-TSOP | تحقيق |
 |
DMP2039UFDE4-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 25V 7.3A 6DFN | تحقيق |
 |
SIR496DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8 | تحقيق |
 |
IXFT36N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 36A TO-268 D3 | تحقيق |
|
IXTA38N15T | IXYS | MOSFET N-CH 150V 38A TO-263 | تحقيق |
 |
CSD13306WT | Texas Instruments | MOSFET N-CH 12V 6DSBGA | تحقيق |
 |
IRF9392TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SOIC | تحقيق |
 |
AOT254L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 150V 4.2A TO220 | تحقيق |
 |
IRFZ44VS | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK | تحقيق |
 |
IRFH5306TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 15A 5X6 PQFN | تحقيق |
 |
BSB012NE2LX | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 170A WDSON-2 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers