SIHP33N60E-GE3
SIHP33N60E-GE3
رقم القطعة:
SIHP33N60E-GE3
الصانع:
Vishay / Siliconix
وصف:
MOSFET N-CH 600V 33A TO-220AB
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
13758 Pieces
ورقة البيانات:
1.SIHP33N60E-GE3.pdf2.SIHP33N60E-GE3.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SIHP33N60E-GE3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SIHP33N60E-GE3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى SIHP33N60E-GE3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4V @ 250µA
فغس (ماكس):±30V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-220AB
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:99 mOhm @ 16.5A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):278W (Tc)
التعبئة والتغليف:Bulk
حزمة / كيس:TO-220-3
اسماء اخرى:SIHP33N60EGE3
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:19 Weeks
الصانع الجزء رقم:SIHP33N60E-GE3
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:3508pF @ 100V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:150nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 600V 33A (Tc) 278W (Tc) Through Hole TO-220AB
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):600V
وصف:MOSFET N-CH 600V 33A TO-220AB
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:33A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات