يشترى SIHP17N60D-GE3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5V @ 250µA |
---|---|
تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
تجار الأجهزة حزمة: | TO-220AB |
سلسلة: | - |
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 340 mOhm @ 8A, 10V |
تبديد الطاقة (ماكس): | 277.8W (Tc) |
التعبئة والتغليف: | Tube |
حزمة / كيس: | TO-220-3 |
درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
تصاعد نوع: | Through Hole |
مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
الصانع المهلة القياسية: | 13 Weeks |
الصانع الجزء رقم: | SIHP17N60D-GE3 |
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1780pF @ 100V |
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 90nC @ 10V |
نوع FET: | N-Channel |
FET الميزة: | - |
وصف موسع: | N-Channel 600V 17A (Tc) 277.8W (Tc) Through Hole TO-220AB |
استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 600V |
وصف: | MOSFET N-CH 600V 17A TO-220AB |
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 17A (Tc) |
Email: | [email protected] |