يشترى SIHH21N60EF-T1-GE3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
SIHH21N60EF-T1-GE3
- رقم القطعة:
- SIHH21N60EF-T1-GE3
- الصانع:
- Vishay / Siliconix
- وصف:
- MOSFET N-CHAN 600V 19A POWERPAK
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12606 Pieces
- ورقة البيانات:
- SIHH21N60EF-T1-GE3.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SIHH21N60EF-T1-GE3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SIHH21N60EF-T1-GE3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±30V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PowerPAK® 8 x 8 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 185 mOhm @ 11A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 174W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Original-Reel® |
| حزمة / كيس: | 8-PowerTDFN |
| اسماء اخرى: | SiHH21N60EF-T1-GE3DKR |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 20 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | SIHH21N60EF-T1-GE3 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 2035pF @ 100V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 86nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 600V 19A (Tc) 174W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8 |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 600V |
| وصف: | MOSFET N-CHAN 600V 19A POWERPAK |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 19A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSIHH21N60EF-T1-GE3
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
SIHH20N50E-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 22A PWRPAK 8X8 | تحقيق |
|
SIHH21N60E-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 20A POWERPAK8X8 | تحقيق |
|
SIHH21N65EF-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 650V 19.8A POWERPAK | تحقيق |
 |
EPC2016 | EPC | TRANS GAN 100V 11A BUMPED DIE | تحقيق |
|
SIHH26N60E-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 25A POWERPAK8X8 | تحقيق |
|
SIHH28N60E-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 29A 8-PWRTDFN | تحقيق |
 |
R6020ENZC8 | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF | تحقيق |
|
SIHH21N65E-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 650V 20.3A PWRPAK8X8 | تحقيق |
 |
FQI5N60CTU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 4.5A I2PAK | تحقيق |
 |
SIHH24N65EF-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 650V 23A POWERPAK | تحقيق |
 |
IPD15N06S2L64ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 19A TO252-3 | تحقيق |
|
SIHH24N65E-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 650V 23A POWERPAK | تحقيق |
|
SIHH26N60EF-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 600V 24A POWERPAK | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers