يشترى SIHG33N60EF-GE3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
SIHG33N60EF-GE3
- رقم القطعة:
- SIHG33N60EF-GE3
- الصانع:
- Vishay / Siliconix
- وصف:
- MOSFET N-CH 600V 33A TO-247AC
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 15187 Pieces
- ورقة البيانات:
- SIHG33N60EF-GE3.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SIHG33N60EF-GE3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SIHG33N60EF-GE3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±30V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-247AC |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 98 mOhm @ 16.5A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 278W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-247-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 22 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | SIHG33N60EF-GE3 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 3454pF @ 100V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 155nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 600V 33A (Tc) 278W (Tc) Through Hole TO-247AC |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 600V |
| وصف: | MOSFET N-CH 600V 33A TO-247AC |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 33A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSIHG33N60EF-GE3
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
SIHG32N50D-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 30A TO-247AC | تحقيق |
|
SIHG32N50D-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 30A TO-247AC | تحقيق |
|
SIHG33N65E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 650V 32.4A TO-247AC | تحقيق |
|
SIHG33N60E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 33A TO-247AC | تحقيق |
 |
BSS340NWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | SMALL SIGNAL+P-CH | تحقيق |
 |
FQD12N20LTM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 9A DPAK | تحقيق |
|
SIHG30N60E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC | تحقيق |
 |
FQB7N30TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 300V 7A D2PAK | تحقيق |
|
SIHG35N60E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 32A TO247AC | تحقيق |
|
SIHG33N65EF-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 650V 31.6A TO-247AC | تحقيق |
 |
NVMFS6B03NWFT3G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 132A SO8FL | تحقيق |
|
SIHG30N60E-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC | تحقيق |
 |
IXTP3N110 | IXYS | MOSFET N-CH 1100V 3A TO-220 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers