يشترى SIDC09D60E6Y مع BYCHPS
شراء مع ضمان
SIDC09D60E6Y
- رقم القطعة:
- SIDC09D60E6Y
- وصف:
- DIODE GEN PURP 600V 20A WAFER
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 17317 Pieces
- ورقة البيانات:
- SIDC09D60E6Y.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SIDC09D60E6Y ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SIDC09D60E6Y عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1.7V @ 20A |
|---|---|
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 600V |
| تجار الأجهزة حزمة: | Sawn on foil |
| سرعة: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| سلسلة: | - |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 150ns |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | Die |
| اسماء اخرى: | SP000012548 |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -55°C ~ 150°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | SIDC09D60E6Y |
| وصف موسع: | Diode Standard 600V 20A (DC) Surface Mount Sawn on foil |
| نوع الصمام الثنائي: | Standard |
| وصف: | DIODE GEN PURP 600V 20A WAFER |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 27µA @ 600V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 20A (DC) |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSIDC09D60E6Y
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
SIDC09D60F6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 600V 30A WAFER | تحقيق |
|
SIDC09D60E6 UNSAWN | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 600V 20A WAFER | تحقيق |
|
SIDC09D60E6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 600V 20A WAFER | تحقيق |
|
SIDC03D120F6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 2A WAFER | تحقيق |
|
SIDC06D60C6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 600V 20A WAFER | تحقيق |
|
SIDC03D60F6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 600V 6A WAFER | تحقيق |
|
SIDC03D120H6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 3A WAFER | تحقيق |
|
SIDC04D60F6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 600V 9A WAFER | تحقيق |
|
SIDC01D120H6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 600MA WAFER | تحقيق |
|
SIDC08D120F6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 7A WAFER | تحقيق |
|
SIDC03D60C6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 600V 10A WAFER | تحقيق |
|
SIDC06D60AC6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 600V 20A WAFER | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers