SIB900EDK-T1-GE3
SIB900EDK-T1-GE3
رقم القطعة:
SIB900EDK-T1-GE3
الصانع:
Vishay / Siliconix
وصف:
MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
14179 Pieces
ورقة البيانات:
SIB900EDK-T1-GE3.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SIB900EDK-T1-GE3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SIB900EDK-T1-GE3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى SIB900EDK-T1-GE3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:1V @ 250µA
تجار الأجهزة حزمة:PowerPAK® SC-75-6L Dual
سلسلة:TrenchFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:225 mOhm @ 1.6A, 4.5V
السلطة - ماكس:3.1W
التعبئة والتغليف:Original-Reel®
حزمة / كيس:PowerPAK® SC-75-6L Dual
اسماء اخرى:SIB900EDK-T1-GE3DKR
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:15 Weeks
الصانع الجزء رقم:SIB900EDK-T1-GE3
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:-
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:1.7nC @ 4.5V
نوع FET:2 N-Channel (Dual)
FET الميزة:Logic Level Gate
وصف موسع:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 1.5A 3.1W Surface Mount PowerPAK® SC-75-6L Dual
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):20V
وصف:MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:1.5A
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات