SI8810EDB-T2-E1
SI8810EDB-T2-E1
رقم القطعة:
SI8810EDB-T2-E1
الصانع:
Vishay / Siliconix
وصف:
MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
12544 Pieces
ورقة البيانات:
SI8810EDB-T2-E1.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SI8810EDB-T2-E1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SI8810EDB-T2-E1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى SI8810EDB-T2-E1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:900mV @ 250µA
فغس (ماكس):±8V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:4-Microfoot
سلسلة:TrenchFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:72 mOhm @ 1A, 4.5V
تبديد الطاقة (ماكس):500mW (Ta)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:4-XFBGA
اسماء اخرى:SI8810EDB-T2-E1TR
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:24 Weeks
الصانع الجزء رقم:SI8810EDB-T2-E1
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:245pF @ 10V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:8nC @ 8V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 20V 500mW (Ta) Surface Mount 4-Microfoot
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):1.5V, 4.5V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):20V
وصف:MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:-
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات