SI7858ADP-T1-GE3
SI7858ADP-T1-GE3
رقم القطعة:
SI7858ADP-T1-GE3
الصانع:
Vishay / Siliconix
وصف:
MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
16616 Pieces
ورقة البيانات:
SI7858ADP-T1-GE3.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SI7858ADP-T1-GE3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SI7858ADP-T1-GE3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى SI7858ADP-T1-GE3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:1.5V @ 250µA
فغس (ماكس):±8V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:PowerPAK® SO-8
سلسلة:TrenchFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:2.6 mOhm @ 29A, 4.5V
تبديد الطاقة (ماكس):1.9W (Ta)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:PowerPAK® SO-8
اسماء اخرى:SI7858ADP-T1-GE3TR
SI7858ADPT1GE3
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:15 Weeks
الصانع الجزء رقم:SI7858ADP-T1-GE3
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:5700pF @ 6V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:80nC @ 4.5V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 12V 20A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):2.5V, 4.5V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):12V
وصف:MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:20A (Ta)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات