SI7623DN-T1-GE3 - Vishay Siliconix - الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة SI7623DN-T1-GE3

SI7623DN-T1-GE3

رقم القطعة:: SI7623DN-T1-GE3

الصانع:: Vishay / Siliconix

وصف:: MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8

حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:: الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة

الكمية المتوفرة:: 19072 Pieces

ورقة البيانات:: SI7623DN-T1-GE3.pdf

تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SI7623DN-T1-GE3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SI7623DN-T1-GE3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.

يشترى SI7623DN-T1-GE3 مع BYCHPS

شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:	1.5V @ 250µA
فغس (ماكس):	±12V
تكنولوجيا:	MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:	PowerPAK® 1212-8
سلسلة:	TrenchFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:	3.8 mOhm @ 20A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):	3.7W (Ta), 52W (Tc)
التعبئة والتغليف:	Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:	PowerPAK® 1212-8
اسماء اخرى:	SI7623DN-T1-GE3TR SI7623DNT1GE3
درجة حرارة التشغيل:	-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:	Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):	1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:	24 Weeks
الصانع الجزء رقم:	SI7623DN-T1-GE3
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:	5460pF @ 10V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:	180nC @ 10V
نوع FET:	P-Channel
FET الميزة:	-
وصف موسع:	P-Channel 20V 35A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):	2.5V, 10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):	20V
وصف:	MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:	35A (Tc)
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة لSI7623DN-T1-GE3

رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
IXFK80N65X2	IXYS	MOSFET N-CH 650V 80A TO-264	تحقيق
SI8451DB-T2-E1	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 20V 10.8A MICROFOOT	تحقيق
SI7625DN-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 30V 35A 1212-8 PPAK	تحقيق
FDBL86563_F085	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 240A PSOF8	تحقيق
CSD17484F4	Texas Instruments	N-CHANNEL FEMTOFET MOSFET	تحقيق
IXFR180N06	IXYS	MOSFET N-CH 60V 180A ISOPLUS247	تحقيق
SI4403BDY-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 20V 7.3A 8-SOIC	تحقيق
SIE822DF-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 20V 50A 10-POLARPAK	تحقيق
STI45N10F7	STMicroelectronics	MOSFET N-CH 100V 45A I2PAK	تحقيق
SI4686DY-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V 18.2A 8-SOIC	تحقيق
IPW60R280P6FKSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 600V TO247-3	تحقيق
MMDFS6N303R2	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC	تحقيق
DMT3004LFG-13	Diodes Incorporated	MOSFET NCH 30V 10.4A POWERDI	تحقيق
IXTT16N50D2	IXYS	MOSFET N-CH 500V 16A TO-268	تحقيق
SI7629DN-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8 PPAK	تحقيق
SI7620DN-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 150V 13A 1212-8	تحقيق
IXTP62N15P	IXYS	MOSFET N-CH 150V 62A TO-220	تحقيق
SI7621DN-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 20V 4A 1212-8 PPAK	تحقيق
IRFZ30PBF	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 50V 30A TO-220AB	تحقيق
BUK9Y12-40E,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 40V LFPAK	تحقيق

المقدمة

مواصفات

سريع طلب اقتباس

Latest الأخبار