SI7119DN-T1-E3
SI7119DN-T1-E3
رقم القطعة:
SI7119DN-T1-E3
الصانع:
Vishay / Siliconix
وصف:
MOSFET P-CH 200V 3.8A 1212-8
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
14643 Pieces
ورقة البيانات:
SI7119DN-T1-E3.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SI7119DN-T1-E3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SI7119DN-T1-E3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى SI7119DN-T1-E3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4V @ 250µA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:PowerPAK® 1212-8
سلسلة:TrenchFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:1.05 Ohm @ 1A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):3.7W (Ta), 52W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:PowerPAK® 1212-8
اسماء اخرى:SI7119DN-T1-E3TR
SI7119DNT1E3
درجة حرارة التشغيل:-50°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:15 Weeks
الصانع الجزء رقم:SI7119DN-T1-E3
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:666pF @ 50V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:25nC @ 10V
نوع FET:P-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:P-Channel 200V 3.8A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):6V, 10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):200V
وصف:MOSFET P-CH 200V 3.8A 1212-8
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:3.8A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات