SI5913DC-T1-E3
SI5913DC-T1-E3
رقم القطعة:
SI5913DC-T1-E3
الصانع:
Vishay / Siliconix
وصف:
MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
16167 Pieces
ورقة البيانات:
SI5913DC-T1-E3.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SI5913DC-T1-E3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SI5913DC-T1-E3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى SI5913DC-T1-E3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:1.5V @ 250µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:1206-8 ChipFET™
سلسلة:LITTLE FOOT®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:84 mOhm @ 3.7A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):1.7W (Ta), 3.1W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:8-SMD, Flat Lead
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:24 Weeks
الصانع الجزء رقم:SI5913DC-T1-E3
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:330pF @ 10V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:12nC @ 10V
نوع FET:P-Channel
FET الميزة:Schottky Diode (Isolated)
وصف موسع:P-Channel 20V 4A (Tc) 1.7W (Ta), 3.1W (Tc) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):20V
وصف:MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:4A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات