SI5906DU-T1-GE3
SI5906DU-T1-GE3
رقم القطعة:
SI5906DU-T1-GE3
الصانع:
Vishay / Siliconix
وصف:
MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK FET
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
12115 Pieces
ورقة البيانات:
SI5906DU-T1-GE3.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SI5906DU-T1-GE3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SI5906DU-T1-GE3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى SI5906DU-T1-GE3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:2.2V @ 250µA
تجار الأجهزة حزمة:PowerPAK® ChipFet Dual
سلسلة:TrenchFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:31 mOhm @ 4.8A, 10V
السلطة - ماكس:10.4W
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:PowerPAK® ChipFET™ Dual
اسماء اخرى:SI5906DU-T1-GE3-ND
SI5906DU-T1-GE3TR
SI5906DUT1GE3
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:SI5906DU-T1-GE3
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:300pF @ 15V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:8.6nC @ 10V
نوع FET:2 N-Channel (Dual)
FET الميزة:Logic Level Gate
وصف موسع:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A 10.4W Surface Mount PowerPAK® ChipFet Dual
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):30V
وصف:MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK FET
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:6A
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات