SI5519DU-T1-GE3
SI5519DU-T1-GE3
رقم القطعة:
SI5519DU-T1-GE3
الصانع:
Vishay / Siliconix
وصف:
MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFETs
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
13676 Pieces
ورقة البيانات:
SI5519DU-T1-GE3.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SI5519DU-T1-GE3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SI5519DU-T1-GE3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى SI5519DU-T1-GE3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:1.8V @ 250µA
تجار الأجهزة حزمة:PowerPAK® ChipFet Dual
سلسلة:TrenchFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:36 mOhm @ 6.1A, 4.5V
السلطة - ماكس:10.4W
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:PowerPAK® ChipFET™ Dual
اسماء اخرى:SI5519DU-T1-GE3TR
SI5519DUT1GE3
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:SI5519DU-T1-GE3
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:660pF @ 10V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:17.5nC @ 10V
نوع FET:N and P-Channel
FET الميزة:Standard
وصف موسع:Mosfet Array N and P-Channel 20V 6A 10.4W Surface Mount PowerPAK® ChipFet Dual
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):20V
وصف:MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFETs
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:6A
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات