SI4686DY-T1-E3
رقم القطعة:
SI4686DY-T1-E3
الصانع:
Vishay / Siliconix
وصف:
MOSFET N-CH 30V 18.2A 8-SOIC
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
13243 Pieces
ورقة البيانات:
SI4686DY-T1-E3.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SI4686DY-T1-E3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SI4686DY-T1-E3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى SI4686DY-T1-E3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:3V @ 250µA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:8-SO
سلسلة:TrenchFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:9.5 mOhm @ 13.8A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):3W (Ta), 5.2W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
اسماء اخرى:SI4686DY-T1-E3TR
SI4686DYT1E3
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:24 Weeks
الصانع الجزء رقم:SI4686DY-T1-E3
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:1220pF @ 15V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:26nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 30V 18.2A (Tc) 3W (Ta), 5.2W (Tc) Surface Mount 8-SO
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):4.5V, 10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):30V
وصف:MOSFET N-CH 30V 18.2A 8-SOIC
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:18.2A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات