SI4108DY-T1-GE3 - Vishay Siliconix - الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة SI4108DY-T1-GE3

SI4108DY-T1-GE3

رقم القطعة:: SI4108DY-T1-GE3

الصانع:: Vishay / Siliconix

وصف:: MOSFET N-CH 75V 20.5A 8-SOIC

حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:: الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة

الكمية المتوفرة:: 19422 Pieces

ورقة البيانات:: SI4108DY-T1-GE3.pdf

تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SI4108DY-T1-GE3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SI4108DY-T1-GE3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.

يشترى SI4108DY-T1-GE3 مع BYCHPS

شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:	4V @ 250µA
تكنولوجيا:	MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:	8-SO
سلسلة:	TrenchFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:	9.8 mOhm @ 13.8A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):	3.6W (Ta), 7.8W (Tc)
التعبئة والتغليف:	Original-Reel®
حزمة / كيس:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
اسماء اخرى:	SI4108DY-T1-GE3DKR
درجة حرارة التشغيل:	-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:	Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):	1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:	SI4108DY-T1-GE3
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:	2100pF @ 38V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:	54nC @ 10V
نوع FET:	N-Channel
FET الميزة:	-
وصف موسع:	N-Channel 75V 20.5A (Tc) 3.6W (Ta), 7.8W (Tc) Surface Mount 8-SO
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):	75V
وصف:	MOSFET N-CH 75V 20.5A 8-SOIC
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:	20.5A (Tc)
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة لSI4108DY-T1-GE3

رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
CSD17484F4	Texas Instruments	N-CHANNEL FEMTOFET MOSFET	تحقيق
IXFR180N06	IXYS	MOSFET N-CH 60V 180A ISOPLUS247	تحقيق
IPW60R280P6FKSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 600V TO247-3	تحقيق
SI4100DY-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC	تحقيق
IRFZ24S	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK	تحقيق
IXFK80N65X2	IXYS	MOSFET N-CH 650V 80A TO-264	تحقيق
IRF3805L-7PPBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 55V 160A TO-263-7	تحقيق
SI4102DY-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC	تحقيق
SI4840DY-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 40V 10A 8-SOIC	تحقيق
ZXMP7A17KTC	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 70V 5.7A D PAK	تحقيق
SI4101DY-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 30V 25.7A 8SOIC	تحقيق
FDBL86563_F085	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 240A PSOF8	تحقيق
SI4104DY-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 4.6A 8-SOIC	تحقيق
SI4102DY-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC	تحقيق
SI4104DY-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 4.6A 8-SOIC	تحقيق
SI4686DY-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V 18.2A 8-SOIC	تحقيق
SI4100DY-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC	تحقيق
STF13N80K5	STMicroelectronics	MOSFET N-CH 800V 12A TO-220FP	تحقيق
SIE822DF-T1-E3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 20V 50A 10-POLARPAK	تحقيق
IRFS59N10DPBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK	تحقيق

المقدمة

مواصفات

سريع طلب اقتباس

Latest الأخبار