يشترى SI3417DV-T1-GE3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 3V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | 6-TSOP |
| سلسلة: | TrenchFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 25.2 mOhm @ 7.3A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 2W (Ta), 4.2W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| اسماء اخرى: | SI3417DV-T1-GE3TR |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 24 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | SI3417DV-T1-GE3 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1350pF @ 15V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 50nC @ 10V |
| نوع FET: | P-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | P-Channel 30V 8A (Ta) 2W (Ta), 4.2W (Tc) Surface Mount 6-TSOP |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
| وصف: | MOSFET P-CH 30V 8A TSOP-6 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 8A (Ta) |
| Email: | [email protected] |