SI2323DDS-T1-GE3
رقم القطعة:
SI2323DDS-T1-GE3
الصانع:
Vishay / Siliconix
وصف:
MOSFET P-CH 20V 5.3A SOT-23
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
19251 Pieces
ورقة البيانات:
SI2323DDS-T1-GE3.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SI2323DDS-T1-GE3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SI2323DDS-T1-GE3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى SI2323DDS-T1-GE3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:1V @ 250µA
فغس (ماكس):±8V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:SOT-23
سلسلة:TrenchFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:39 mOhm @ 4.1A, 4.5V
تبديد الطاقة (ماكس):960mW (Ta), 1.7W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
اسماء اخرى:SI2323DDS-T1-GE3TR
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:24 Weeks
الصانع الجزء رقم:SI2323DDS-T1-GE3
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:1160pF @ 10V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:36nC @ 8V
نوع FET:P-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:P-Channel 20V 5.3A (Tc) 960mW (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):1.8V, 4.5V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):20V
وصف:MOSFET P-CH 20V 5.3A SOT-23
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:5.3A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات