SI2302DDS-T1-GE3
رقم القطعة:
SI2302DDS-T1-GE3
الصانع:
Vishay / Siliconix
وصف:
MOSFET N-CHAN 20V SOT23
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
12906 Pieces
ورقة البيانات:
SI2302DDS-T1-GE3.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SI2302DDS-T1-GE3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SI2302DDS-T1-GE3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى SI2302DDS-T1-GE3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:850mV @ 250µA
فغس (ماكس):±8V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:SOT-23-3 (TO-236)
سلسلة:TrenchFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:57 mOhm @ 3.6A, 4.5V
تبديد الطاقة (ماكس):710mW (Ta)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
اسماء اخرى:SI2302DDS-T1-GE3TR
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:24 Weeks
الصانع الجزء رقم:SI2302DDS-T1-GE3
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:-
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:5.5nC @ 4.5V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 20V 2.9A (Tj) 710mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):2.5V, 4.5V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):20V
وصف:MOSFET N-CHAN 20V SOT23
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:2.9A (Tj)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات