SI1970DH-T1-GE3
رقم القطعة:
SI1970DH-T1-GE3
الصانع:
Vishay / Siliconix
وصف:
MOSFET 2N-CH 30V 1.3A SC70-6
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
15149 Pieces
ورقة البيانات:
SI1970DH-T1-GE3.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SI1970DH-T1-GE3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SI1970DH-T1-GE3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى SI1970DH-T1-GE3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:1.6V @ 250µA
تجار الأجهزة حزمة:SC-70-6 (SOT-363)
سلسلة:TrenchFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:225 mOhm @ 1.2A, 4.5V
السلطة - ماكس:1.25W
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:SI1970DH-T1-GE3
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:95pF @ 15V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:3.8nC @ 10V
نوع FET:2 N-Channel (Dual)
FET الميزة:Logic Level Gate
وصف موسع:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 1.3A 1.25W Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):30V
وصف:MOSFET 2N-CH 30V 1.3A SC70-6
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:1.3A
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات