SI1414DH-T1-GE3
رقم القطعة:
SI1414DH-T1-GE3
الصانع:
Vishay / Siliconix
وصف:
MOSFET N-CH 30V 4A SOT-363
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
14427 Pieces
ورقة البيانات:
SI1414DH-T1-GE3.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SI1414DH-T1-GE3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SI1414DH-T1-GE3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى SI1414DH-T1-GE3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:1V @ 250µA
فغس (ماكس):±8V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:SOT-363
سلسلة:TrenchFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:46 mOhm @ 4A, 4.5V
تبديد الطاقة (ماكس):1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
اسماء اخرى:SI1414DH-T1-GE3-ND
SI1414DH-T1-GE3TR
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:24 Weeks
الصانع الجزء رقم:SI1414DH-T1-GE3
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:560pF @ 15V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:15nC @ 8V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 30V 4A (Tc) 1.56W (Ta), 2.8W (Tc) Surface Mount SOT-363
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):1.8V, 4.5V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):30V
وصف:MOSFET N-CH 30V 4A SOT-363
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:4A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات