يشترى SI1021R-T1-GE3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
SI1021R-T1-GE3
- رقم القطعة:
- SI1021R-T1-GE3
- الصانع:
- Vishay / Siliconix
- وصف:
- MOSFET P-CH 60V 190MA SC-75A
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14888 Pieces
- ورقة البيانات:
- SI1021R-T1-GE3.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SI1021R-T1-GE3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SI1021R-T1-GE3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 3V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | SC-75A |
| سلسلة: | TrenchFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 4 Ohm @ 500mA, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 250mW (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | SC-75A |
| اسماء اخرى: | SI1021R-T1-GE3TR SI1021RT1GE3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 15 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | SI1021R-T1-GE3 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 23pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 1.7nC @ 15V |
| نوع FET: | P-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | P-Channel 60V 190mA (Ta) 250mW (Ta) Surface Mount SC-75A |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 4.5V, 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 60V |
| وصف: | MOSFET P-CH 60V 190MA SC-75A |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 190mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSI1021R-T1-GE3
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
SI1025X-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SOT563F | تحقيق |
|
SI1026X-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563F | تحقيق |
 |
IXFH40N85X | IXYS | MOSFET NCH 850V 40A TO247 | تحقيق |
|
SI1024X-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 0.485A SOT563F | تحقيق |
 |
SI1022R-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 330MA SC-75A | تحقيق |
|
SI1021R-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 190MA SC-75A | تحقيق |
|
SI1023CX-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V SC89-6 | تحقيق |
|
SI1023X-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 0.37A SOT563F | تحقيق |
|
SI1026X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SC89-6 | تحقيق |
|
SI1029X-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 60V SOT563F | تحقيق |
 |
RCX450N20 | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 45A TO220 | تحقيق |
|
SI1029X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 60V SC89-6 | تحقيق |
|
SI1028X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V SC89-6 | تحقيق |
|
SI1025X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SC-89 | تحقيق |
|
SI1022R-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 330MA SC-75A | تحقيق |
|
SI1024X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 0.485A SC89-6 | تحقيق |
 |
IXTQ36N30P | IXYS | MOSFET N-CH 300V 36A TO-3P | تحقيق |
|
SI1023X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 0.37A SC89-6 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog