SGM2N60UFTF - Fairchild/ON Semiconductor - الترانزستورات - إغبتس - واحدة SGM2N60UFTF

SGM2N60UFTF

رقم القطعة:: SGM2N60UFTF

الصانع:: Fairchild/ON Semiconductor

وصف:: IGBT 600V 2.4A 2.1W SOT-223

حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:: الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة

الكمية المتوفرة:: 16623 Pieces

ورقة البيانات:: 1.SGM2N60UFTF.pdf 2.SGM2N60UFTF.pdf

تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SGM2N60UFTF ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SGM2N60UFTF عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.

يشترى SGM2N60UFTF مع BYCHPS

شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس):	600V
VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم:	2.6V @ 15V, 1.2A
اختبار حالة:	300V, 1.2A, 200 Ohm, 15V
تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C:	15ns/80ns
تحويل الطاقة:	30µJ (on), 13µJ (off)
تجار الأجهزة حزمة:	SOT-223-4
سلسلة:	-
السلطة - ماكس:	2.1W
التعبئة والتغليف:	Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:	TO-261-4, TO-261AA
درجة حرارة التشغيل:	-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:	Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):	1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:	SGM2N60UFTF
نوع المدخلات:	Standard
نوع IGBT:	-
بوابة المسؤول:	9nC
وصف موسع:	IGBT 600V 2.4A 2.1W Surface Mount SOT-223-4
وصف:	IGBT 600V 2.4A 2.1W SOT-223
الحالي - جامع نابض (آي سي إم):	10A
الحالي - جامع (IC) (ماكس):	2.4A
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة لSGM2N60UFTF

رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
SGR20N40LTF	Fairchild/ON Semiconductor	IGBT 400V 45W DPAK	تحقيق
STGP20V60DF	STMicroelectronics	IGBT 600V 40A 167W TO220AB	تحقيق
IRG8CH20K10D	Infineon Technologies	IGBT 1200V ULTRA FAST DIE	تحقيق
STGW80V60DF	STMicroelectronics	IGBT 600V 120A 469W TO247	تحقيق
IKD06N60RFATMA1	Infineon Technologies	IGBT 600V 12A 100W PG-TO252-3	تحقيق
IXGA12N120A2	IXYS	IGBT 1200V 24A 75W TO263	تحقيق
IRG7CH46UEF	Infineon Technologies	IGBT 1200V ULTRA FAST DIE	تحقيق

المقدمة

مواصفات

سريع طلب اقتباس

Latest الأخبار