يشترى SBR2U10LP-13 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
SBR2U10LP-13
- رقم القطعة:
- SBR2U10LP-13
- الصانع:
- Diodes Incorporated
- وصف:
- DIODE SBR 10V 2A 3DFN
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18632 Pieces
- ورقة البيانات:
- SBR2U10LP-13.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SBR2U10LP-13 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SBR2U10LP-13 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 460mV @ 2A |
|---|---|
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 10V |
| تجار الأجهزة حزمة: | 3-X1-DFN1411 |
| سرعة: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| سلسلة: | SBR® |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 60ns |
| التعبئة والتغليف: | Original-Reel® |
| حزمة / كيس: | 3-UDFN |
| اسماء اخرى: | SBR2U10LP-13DIDKR |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -65°C ~ 150°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | SBR2U10LP-13 |
| وصف موسع: | Diode Super Barrier 10V 2A Surface Mount 3-X1-DFN1411 |
| نوع الصمام الثنائي: | Super Barrier |
| وصف: | DIODE SBR 10V 2A 3DFN |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 2mA @ 10V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 2A |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | 102pF @ 5V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSBR2U10LP-13
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
SBR2U150SA-13 | Diodes Incorporated | DIODE SBR 150V 2A SMA | تحقيق |
 |
UG15HT-E3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 500V 15A TO220AC | تحقيق |
 |
FR12BR02 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 100V 12A DO4 | تحقيق |
 |
SBR2U60S1FQ-7 | Diodes Incorporated | DIODE SUPER BARRIER 60V SOD-123F | تحقيق |
 |
CDBU00340 | Comchip Technology | DIODE SCHOTTKY 40V 30MA 0603 | تحقيق |
 |
SBR2U10LP-7 | Diodes Incorporated | DIODE SBR 10V 2A X1-DFN1411-3 | تحقيق |
 |
SBR2U30P1-7 | Diodes Incorporated | DIODE SBR 30V 2A POWERDI123 | تحقيق |
|
SBR2U100LP-7 | Diodes Incorporated | DIODE SBR 100V 1.5A X1-DFN1411-3 | تحقيق |
 |
FDLL300A | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 125V 200MA SOD80 | تحقيق |
 |
JAN1N1202AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | تحقيق |
 |
SBR2U60S1F-7 | Diodes Incorporated | DIODE SBR 60V 2A SOD123F | تحقيق |
|
SBR2U30SA-13 | Diodes Incorporated | DIODE SBR 30V 2A SMA | تحقيق |
 |
CDBUR0520 | Comchip Technology | DIODE SCHOTTKY 20V 500MA 0603 | تحقيق |
 |
SIDC23D120F6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 25A WAFER | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog