يشترى SBR1A40S1-7 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
SBR1A40S1-7
- رقم القطعة:
- SBR1A40S1-7
- الصانع:
- Diodes Incorporated
- وصف:
- DIODE SBR 40V 1A SOD123
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 19981 Pieces
- ورقة البيانات:
- SBR1A40S1-7.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SBR1A40S1-7 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SBR1A40S1-7 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 520mV @ 1A |
|---|---|
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 40V |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOD-123 |
| سرعة: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| سلسلة: | SBR® |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | SOD-123 |
| اسماء اخرى: | SBR1A40S1-7DITR SBR1A40S17 |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -65°C ~ 150°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | SBR1A40S1-7 |
| وصف موسع: | Diode Super Barrier 40V 1A Surface Mount SOD-123 |
| نوع الصمام الثنائي: | Super Barrier |
| وصف: | DIODE SBR 40V 1A SOD123 |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 200µA @ 40V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 1A |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSBR1A40S1-7
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
RBS80270XX | Powerex Inc. | DIODE MODULE 200V 7000A DO200AE | تحقيق |
 |
SBR1A40SA-13 | Diodes Incorporated | DIODE SBR 40V 1A SMA | تحقيق |
 |
RL101-N-0-1-BP | Micro Commercial Co | DIODE GEN PURP 50V 1A A-405 | تحقيق |
 |
CS240650 | Powerex Inc. | DIODE MODULE 600V 50A POW-R-BLOK | تحقيق |
 |
VS-10ETF10S-M3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE RECT 1000V 10A D2PAK | تحقيق |
 |
SBR1A400P1-7 | Diodes Incorporated | DIODE SBR 1A PDI123 | تحقيق |
 |
STPS1045B | STMicroelectronics | DIODE SCHOTTKY 45V 10A DPAK | تحقيق |
 |
SBR1A40S3-7 | Diodes Incorporated | DIODE SBR 40V 1A SOD323 | تحقيق |
 |
1N6096R | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY REV 40V DO4 | تحقيق |
 |
MSE1PD-M3/89A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 1A MICROSMP | تحقيق |
 |
CRNB25-1200PT | Crydom Co. | DIODE GP 1.2KV 15.9A TO220AB | تحقيق |
 |
BYG21M-E3/TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A | تحقيق |
 |
DSA75-18B | IXYS | DIODE AVALANCHE 1.8KV 110A DO203 | تحقيق |
 |
SBR1A20T5-7 | Diodes Incorporated | DIODE SBR SOD523 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog