RW1A020ZPT2R
RW1A020ZPT2R
رقم القطعة:
RW1A020ZPT2R
الصانع:
LAPIS Semiconductor
وصف:
MOSFET P-CH 12V 2A WEMT6
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
13124 Pieces
ورقة البيانات:
RW1A020ZPT2R.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل RW1A020ZPT2R ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك RW1A020ZPT2R عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى RW1A020ZPT2R مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:1V @ 1mA
فغس (ماكس):±10V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:6-WEMT
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:105 mOhm @ 2A, 4.5V
تبديد الطاقة (ماكس):700mW (Ta)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:SOT-563, SOT-666
اسماء اخرى:RW1A020ZPT2R-ND
RW1A020ZPT2RTR
درجة حرارة التشغيل:150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:10 Weeks
الصانع الجزء رقم:RW1A020ZPT2R
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:770pF @ 6V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:6.5nC @ 4.5V
نوع FET:P-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:P-Channel 12V 2A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount 6-WEMT
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):1.5V, 4.5V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):12V
وصف:MOSFET P-CH 12V 2A WEMT6
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:2A (Ta)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات