RN1910FE(T5L,F,T)
RN1910FE(T5L,F,T)
رقم القطعة:
RN1910FE(T5L,F,T)
الصانع:
Toshiba Semiconductor
وصف:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
13461 Pieces
ورقة البيانات:
RN1910FE(T5L,F,T).pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل RN1910FE(T5L,F,T) ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك RN1910FE(T5L,F,T) عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى RN1910FE(T5L,F,T) مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس):50V
اصلاحات تشبع (ماكس) @ باء، جيم:300mV @ 250µA, 5mA
نوع الترانزستور:2 NPN - Pre-Biased (Dual)
تجار الأجهزة حزمة:ES6
سلسلة:-
المقاوم - باعث قاعدة (R2) (أوم):-
المقاوم - قاعدة (R1) (أوم):4.7k
السلطة - ماكس:100mW
التعبئة والتغليف:Cut Tape (CT)
حزمة / كيس:SOT-563, SOT-666
اسماء اخرى:RN1910FE(T5LFT)CT
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:RN1910FE(T5L,F,T)
تردد - تحول:250MHz
وصف موسع:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
وصف:TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
العاصمة الربح الحالي (HFE) (مين) @ جيم، VCE:120 @ 1mA, 5V
الحالي - جامع القطع (ماكس):100nA (ICBO)
الحالي - جامع (IC) (ماكس):100mA
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات