العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - ثنائي القطب (بجت) - صفائف، قبل منح > RN1706JE(TE85L,F)
RN1706JE(TE85L,F)
RN1706JE(TE85L,F)
رقم القطعة:
RN1706JE(TE85L,F)
الصانع:
Toshiba Semiconductor
وصف:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
19635 Pieces
ورقة البيانات:
RN1706JE(TE85L,F).pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل RN1706JE(TE85L,F) ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك RN1706JE(TE85L,F) عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى RN1706JE(TE85L,F) مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس):50V
اصلاحات تشبع (ماكس) @ باء، جيم:300mV @ 250µA, 5mA
نوع الترانزستور:2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
تجار الأجهزة حزمة:ESV
سلسلة:-
المقاوم - باعث قاعدة (R2) (أوم):47k
المقاوم - قاعدة (R1) (أوم):4.7k
السلطة - ماكس:100mW
التعبئة والتغليف:Cut Tape (CT)
حزمة / كيس:SOT-553
اسماء اخرى:RN1706JE(TE85LF)CT
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:RN1706JE(TE85L,F)
تردد - تحول:250MHz
وصف موسع:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ESV
وصف:TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
العاصمة الربح الحالي (HFE) (مين) @ جيم، VCE:80 @ 10mA, 5V
الحالي - جامع القطع (ماكس):100nA (ICBO)
الحالي - جامع (IC) (ماكس):100mA
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لRN1706JE(TE85L,F)

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
RN1704JE(TE85L,F) Image RN1704JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV تحقيق
RN1702JE(TE85L,F) Image RN1702JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV تحقيق
DMG564030R Image DMG564030R Panasonic Electronic Components TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6 تحقيق
RN1705JE(TE85L,F) Image RN1705JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV تحقيق
RN1701JE(TE85L,F) Image RN1701JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV تحقيق
RN1703JE(TE85L,F) Image RN1703JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV تحقيق

Latest الأخبار