RN1610(TE85L,F) - Toshiba Semiconductor and Storage - الترانزستورات - ثنائي القطب (بجت) - صفائف، قبل منح RN1610(TE85L,F)

RN1610(TE85L,F)

رقم القطعة:: RN1610(TE85L,F)

الصانع:: Toshiba Semiconductor

وصف:: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6

حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:: الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة

الكمية المتوفرة:: 17698 Pieces

ورقة البيانات:: RN1610(TE85L,F).pdf

تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل RN1610(TE85L,F) ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك RN1610(TE85L,F) عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.

يشترى RN1610(TE85L,F) مع BYCHPS

شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس):	50V
اصلاحات تشبع (ماكس) @ باء، جيم:	300mV @ 250µA, 5mA
نوع الترانزستور:	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
تجار الأجهزة حزمة:	SM6
سلسلة:	-
المقاوم - باعث قاعدة (R2) (أوم):	-
المقاوم - قاعدة (R1) (أوم):	4.7k
السلطة - ماكس:	300mW
التعبئة والتغليف:	Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:	SC-74, SOT-457
اسماء اخرى:	RN1610(TE85LF)TR
تصاعد نوع:	Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):	1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:	RN1610(TE85L,F)
تردد - تحول:	250MHz
وصف موسع:	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SM6
وصف:	TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
العاصمة الربح الحالي (HFE) (مين) @ جيم، VCE:	120 @ 1mA, 5V
الحالي - جامع القطع (ماكس):	100nA (ICBO)
الحالي - جامع (IC) (ماكس):	100mA
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة لRN1610(TE85L,F)

صورة	رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
	RN1611(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6	تحقيق
	EMH59T2R	Rohm Semiconductor	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6	تحقيق

المقدمة

مواصفات

سريع طلب اقتباس

Latest الأخبار