يشترى RGT30NS65DGTL مع BYCHPS
شراء مع ضمان
RGT30NS65DGTL
- رقم القطعة:
- RGT30NS65DGTL
- الصانع:
- LAPIS Semiconductor
- وصف:
- IGBT 650V 30A 133W TO-263S
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 15887 Pieces
- ورقة البيانات:
- RGT30NS65DGTL.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل RGT30NS65DGTL ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك RGT30NS65DGTL عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 650V |
|---|---|
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم: | 2.1V @ 15V, 15A |
| اختبار حالة: | 400V, 15A, 10 Ohm, 15V |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C: | 18ns/64ns |
| تحويل الطاقة: | - |
| تجار الأجهزة حزمة: | LPDS (TO-263S) |
| سلسلة: | - |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 55ns |
| السلطة - ماكس: | 133W |
| التعبئة والتغليف: | Original-Reel® |
| حزمة / كيس: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| اسماء اخرى: | RGT30NS65DGTLDKR |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 15 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | RGT30NS65DGTL |
| نوع المدخلات: | Standard |
| نوع IGBT: | Trench Field Stop |
| بوابة المسؤول: | 32nC |
| وصف موسع: | IGBT Trench Field Stop 650V 30A 133W Surface Mount LPDS (TO-263S) |
| وصف: | IGBT 650V 30A 133W TO-263S |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم): | 45A |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 30A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لRGT30NS65DGTL
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IKW75N65EL5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 650V 75A FAST DIODE TO247-3 | تحقيق |
 |
STGWS38IH130D | STMicroelectronics | IGBT 1300V 55A 180W TO247 | تحقيق |
|
STGWA80H65FB | STMicroelectronics | IGBT 650V 120A 469W TO247 | تحقيق |
 |
IRG4RC10UTRLPBF | Infineon Technologies | IGBT 600V 8.5A 38W DPAK | تحقيق |
 |
IXGH24N120C3 | IXYS | IGBT 1200V 48A 250W TO247 | تحقيق |
|
IKW30N65NL5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 650V 30A UFAST DIO TO247-3 | تحقيق |
 |
IRGR4607DTRPBF | Infineon Technologies | IGBT 600V 11A 58W DPAK | تحقيق |
|
STGW15H120DF2 | STMicroelectronics | IGBT H-SERIES 1200V 15A TO-247 | تحقيق |
 |
APT95GR65JDU60 | Microsemi Corporation | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | تحقيق |
 |
SGP23N60UFDTU | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 600V 23A 100W TO220 | تحقيق |
 |
IXYK140N90C3 | IXYS | IGBT 900V 310A 1630W TO264 | تحقيق |
 |
FGA20N120FTDTU | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 1200V 40A 298W TO3PN | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers