يشترى RFM03U3CT(TE12L) مع BYCHPS
شراء مع ضمان
RFM03U3CT(TE12L)
- رقم القطعة:
- RFM03U3CT(TE12L)
- الصانع:
- Toshiba Semiconductor
- وصف:
- MOSFET N-CH RF-CST3
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14293 Pieces
- ورقة البيانات:
- RFM03U3CT(TE12L).pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل RFM03U3CT(TE12L) ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك RFM03U3CT(TE12L) عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 3.6V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 16V |
| نوع الترانزستور: | N-Channel |
| تجار الأجهزة حزمة: | RF-CST3 |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 3W |
| التعبئة والتغليف: | Cut Tape (CT) |
| حزمة / كيس: | 2-SMD, No Lead, Exposed Pad |
| اسماء اخرى: | RFM03U3CT(TE12L)CT |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | RFM03U3CT(TE12L) |
| ربح: | 14.8dB |
| تردد: | 520MHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet N-Channel 3.6V 500mA 520MHz 14.8dB 3W RF-CST3 |
| وصف: | MOSFET N-CH RF-CST3 |
| التصويت الحالي: | 3A |
| الحالي - اختبار: | 500mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لRFM03U3CT(TE12L)
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
VMMK-1218-BLKG | Broadcom Limited | FET RF 5V 10GHZ 0402 | تحقيق |
 |
MRF6V2300NBR1 | NXP USA Inc. | FET RF 110V 220MHZ TO-272-4 | تحقيق |
 |
CGH60008D | Cree/Wolfspeed | RF MOSFET HEMT 28V DIE | تحقيق |
 |
A2T18S162W31GSR3 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | تحقيق |
 |
NE3509M04-A | CEL | FET RF 4V 2GHZ 4-SMINI | تحقيق |
 |
MRF6S20010NR1 | NXP USA Inc. | FET RF 68V 2.17GHZ TO270-2 | تحقيق |
 |
PTFA091201GL V1 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 120W PG-63248-2 | تحقيق |
 |
2N3819 PBFREE | Central Semiconductor Corp | JFET N-CH 25V TO92 | تحقيق |
|
AFT21S140W02GSR3 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.14GHZ NI-780S-2 | تحقيق |
 |
PTAB182002TCV2R250XUMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS | تحقيق |
 |
SD3933 | STMicroelectronics | IC TRANS RF PWR HF/VHF/UHF M177 | تحقيق |
 |
BF998RE6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH RF 12V 30MA SOT-143 | تحقيق |
 |
BG3130RE6327BTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog