يشترى PTFB193408SVV1R250XTMA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
PTFB193408SVV1R250XTMA1
- رقم القطعة:
- PTFB193408SVV1R250XTMA1
- وصف:
- IC FET RF LDMOS H-34275G-6/2
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 15762 Pieces
- ورقة البيانات:
- PTFB193408SVV1R250XTMA1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل PTFB193408SVV1R250XTMA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك PTFB193408SVV1R250XTMA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 30V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 65V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS (Dual), Common Source |
| تجار الأجهزة حزمة: | H-34275G-6/2 |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 80W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | H-34275G-6/2 |
| اسماء اخرى: | SP001028958 |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | PTFB193408SVV1R250XTMA1 |
| ربح: | 19dB |
| تردد: | 1.99GHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 30V 2.65A 1.99GHz 19dB 80W H-34275G-6/2 |
| وصف: | IC FET RF LDMOS H-34275G-6/2 |
| التصويت الحالي: | - |
| الحالي - اختبار: | 2.65A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لPTFB193408SVV1R250XTMA1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
PTFB193404FV1R0XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS H-37275-6 | تحقيق |
|
PTFB193404FV1R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS | تحقيق |
|
PTFB193408SVV1XWSA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS H-34275G-6/2 | تحقيق |
 |
PTFB191501EV1R250XTMA1 | Infineon Technologies | FET RF LDMOS 150W H36248-2 | تحقيق |
 |
PTFB191501FV1R250XTMA1 | Infineon Technologies | FET RF LDMOS 150W H37248-2 | تحقيق |
|
PTFB191501EV1XWSA1 | Infineon Technologies | FET RF LDMOS 150W H36248-2 | تحقيق |
|
PTFB191501FV1XWSA1 | Infineon Technologies | FET RF LDMOS 150W H37248-2 | تحقيق |
|
PTFB192557SHV1R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS H-34288G-4/2 | تحقيق |
|
PTFB192503ELV1R0XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS H-33288-6 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog