يشترى PTFA091503ELV4R0XTMA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
PTFA091503ELV4R0XTMA1
- رقم القطعة:
- PTFA091503ELV4R0XTMA1
- وصف:
- RF MOSFET LDMOS 30V H-33288-6
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 15472 Pieces
- ورقة البيانات:
- PTFA091503ELV4R0XTMA1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل PTFA091503ELV4R0XTMA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك PTFA091503ELV4R0XTMA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 30V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 65V |
| نوع الترانزستور: | LDMOS |
| تجار الأجهزة حزمة: | H-33288-6 |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 150W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged |
| اسماء اخرى: | SP001422954 |
| الضوضاء الشكل: | - |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 12 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | PTFA091503ELV4R0XTMA1 |
| ربح: | 17dB |
| تردد: | 920MHz ~ 960MHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet LDMOS 30V 1.25A 920MHz ~ 960MHz 17dB 150W H-33288-6 |
| وصف: | RF MOSFET LDMOS 30V H-33288-6 |
| التصويت الحالي: | 10µA |
| الحالي - اختبار: | 1.25A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لPTFA091503ELV4R0XTMA1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
PTFA091201GL V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 120W PG-63248-2 | تحقيق |
 |
PTFA091503ELV4R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 150W PG-33288-6 | تحقيق |
|
PTFA091201GL V1 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 120W PG-63248-2 | تحقيق |
 |
PTFA091201FV4XWSA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 120W H-37248-2 | تحقيق |
|
PTFA092211ELV4XWSA1 | Infineon Technologies | FET RF LDMOS 220W H33288-2 | تحقيق |
|
PTFA091201FV4R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 120W H-37248-2 | تحقيق |
|
PTFA091201EV4R0XTMA1 | Infineon Technologies | RF MOSFET LDMOS 28V H-36248-2 | تحقيق |
|
PTFA092201EV4R250XTMA1 | Infineon Technologies | FET RF 65V 960MHZ H-36260-2 | تحقيق |
|
PTFA092201FV4R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 220W H-37260-2 | تحقيق |
|
PTFA091201HL V1 R250 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 120W PG-64248-2 | تحقيق |
|
PTFA091201HL V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 120W PG-64248-2 | تحقيق |
|
PTFA091201EV4R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 120W H-36248-2 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers