يشترى PSMN009-100W,127 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
PSMN009-100W,127
- رقم القطعة:
- PSMN009-100W,127
- وصف:
- MOSFET N-CH 100V 100A SOT429
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16669 Pieces
- ورقة البيانات:
- PSMN009-100W,127.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل PSMN009-100W,127 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك PSMN009-100W,127 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 1mA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-247-3 |
| سلسلة: | TrenchMOS™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 9 mOhm @ 25A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 300W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-247-3 |
| اسماء اخرى: | 934055801127 PSMN009-100W PSMN009-100W-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | PSMN009-100W,127 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 9000pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 214nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 100V 100A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247-3 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 100V |
| وصف: | MOSFET N-CH 100V 100A SOT429 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 100A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لPSMN009-100W,127
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
PSMN004-60P,127 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB | تحقيق |
 |
PSMN004-36B,118 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 36V 75A D2PAK | تحقيق |
 |
PSMN023-80LS,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 80V 34A QFN3333 | تحقيق |
 |
PSMN005-25D,118 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 25V 75A DPAK | تحقيق |
|
PSMN003-30B,118 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK | تحقيق |
|
PSMN005-55P,127 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB | تحقيق |
 |
PSMN004-55W,127 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 100A SOT429 | تحقيق |
 |
PSMN023-40YLCX | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 40V 24A LFPAK | تحقيق |
|
PSMN008-75P,127 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB | تحقيق |
 |
PSMN016-100XS,127 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 32.1A TO-220F | تحقيق |
|
PSMN020-150W,127 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 150V 73A SOT429 | تحقيق |
|
PSMN005-55B,118 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK | تحقيق |
|
PSMN014-60LS,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 60V QFN3333 | تحقيق |
|
PSMN017-30LL,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH QFN3333 | تحقيق |
|
PSMN040-200W,127 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 200V 50A SOT429 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers