يشترى PRTR5V0U6AS,118 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
PRTR5V0U6AS,118
- رقم القطعة:
- PRTR5V0U6AS,118
- وصف:
- TVS DIODE 3VWM 8SOIC
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16752 Pieces
- ورقة البيانات:
- PRTR5V0U6AS,118.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل PRTR5V0U6AS,118 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك PRTR5V0U6AS,118 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - عكس مأزق (الطباع): | 3V |
|---|---|
| الجهد - لقط (ماكس) @ إيب: | - |
| الجهد - انهيار (دقيقة): | 6V |
| قنوات أحادية الاتجاه: | 6 |
| اكتب: | Steering (Rail to Rail) |
| تجار الأجهزة حزمة: | 8-SO |
| سلسلة: | - |
| حماية خط الطاقة: | Yes |
| السلطة - ذروة نبض: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| اسماء اخرى: | 934058882118 PRTR5V0U6AS /T3 PRTR5V0U6AS /T3-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | PRTR5V0U6AS,118 |
| وصف: | TVS DIODE 3VWM 8SOIC |
| الحالي - ذروة نبض (10 / 1000μs): | - |
| السعة @ التردد: | 1pF @ 1MHz |
| التطبيقات: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لPRTR5V0U6AS,118
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
PRTR5V0U6S,118 | NXP USA Inc. | TVS DIODE 3VWM 8SOIC | تحقيق |
 |
PRTR5V0U1T,215 | NXP USA Inc. | TVS DIODE 5.5VWM SOT23 | تحقيق |
 |
PRTR5V0U2D,115 | NXP USA Inc. | TVS DIODE 5.5VWM 6TSOP | تحقيق |
|
PRTR5V0U4Y,125 | NXP USA Inc. | TVS DIODE 5.5VWM 6TSSOP | تحقيق |
 |
20KPA112-B | Littelfuse Inc. | TVS DIODE 112VWM 191.1VC P600 | تحقيق |
 |
PRTR5V0U2K,132 | NXP USA Inc. | TVS DIODE 5.5VWM SOT891 | تحقيق |
 |
PRTR5V0U8S,118 | NXP USA Inc. | TVS DIODE 5.5VWM 10TSSOP | تحقيق |
|
PRTR5V0U4AD,125 | NXP USA Inc. | TVS DIODE 5.5VWM 6TSOP | تحقيق |
 |
MAPLAD18KP26AE3 | Microsemi Corporation | HIGH POWER TVS SURFACE MOUNT DEV | تحقيق |
 |
P6SMB39A-E3/5B | Vishay Semiconductor Diodes Division | TVS DIODE 33.3VWM 53.9VC SMB | تحقيق |
 |
P4KE24AHE3/73 | Vishay Semiconductor Diodes Division | TVS DIODE 20.5VWM 33.2VC AXIAL | تحقيق |
|
LC12 | Microsemi Corporation | TVS DIODE 12VWM 22VC DO202AA | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers