PQMH9Z - Nexperia USA Inc. - الترانزستورات - ثنائي القطب (بجت) - صفائف، قبل منح PQMH9Z

PQMH9Z

رقم القطعة:: PQMH9Z

الصانع:: Nexperia

وصف:: TRANS NPN/NPN RET 6DFN

حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:: الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة

الكمية المتوفرة:: 17668 Pieces

ورقة البيانات:: PQMH9Z.pdf

تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل PQMH9Z ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك PQMH9Z عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.

يشترى PQMH9Z مع BYCHPS

شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس):	50V
اصلاحات تشبع (ماكس) @ باء، جيم:	100mV @ 250µA, 5mA
نوع الترانزستور:	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
تجار الأجهزة حزمة:	DFN1010B-6
سلسلة:	Automotive, AEC-Q101
المقاوم - باعث قاعدة (R2) (أوم):	47k
المقاوم - قاعدة (R1) (أوم):	10k
السلطة - ماكس:	230mW
التعبئة والتغليف:	Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:	6-XFDFN Exposed Pad
اسماء اخرى:	1727-2718-2 568-13239-2 568-13239-2-ND 934069742147 PQMH9Z-ND
تصاعد نوع:	Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):	1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:	6 Weeks
الصانع الجزء رقم:	PQMH9Z
تردد - تحول:	230MHz
وصف موسع:	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 230MHz 230mW Surface Mount DFN1010B-6
وصف:	TRANS NPN/NPN RET 6DFN
العاصمة الربح الحالي (HFE) (مين) @ جيم، VCE:	100 @ 5mA, 5V
الحالي - جامع القطع (ماكس):	1µA
الحالي - جامع (IC) (ماكس):	100mA
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة لPQMH9Z

رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
RN1970(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6	تحقيق
NSBC114EDXV6T1G	ON Semiconductor	TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563	تحقيق
NSBA114EDXV6T1G	ON Semiconductor	TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563	تحقيق
PUMH10,115	Nexperia USA Inc.	TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W 6TSSOP	تحقيق
RN1906,LF(CT	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6	تحقيق

المقدمة

مواصفات

سريع طلب اقتباس

Latest الأخبار