العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > PMZ950UPEYL
PMZ950UPEYL
PMZ950UPEYL
رقم القطعة:
PMZ950UPEYL
الصانع:
Nexperia
وصف:
MOSFET P-CH 20V 0.5A
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
18853 Pieces
ورقة البيانات:
PMZ950UPEYL.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل PMZ950UPEYL ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك PMZ950UPEYL عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى PMZ950UPEYL مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:950mV @ 250µA
فغس (ماكس):±8V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:DFN1006-3
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:1.4 Ohm @ 500mA, 4.5V
تبديد الطاقة (ماكس):360mW (Ta), 2.7W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:SC-101, SOT-883
اسماء اخرى:1727-2324-2
568-12610-2
568-12610-2-ND
934068445315
PMZ950UPEYL-ND
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:PMZ950UPEYL
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:43pF @ 10V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:2.1nC @ 4.5V
نوع FET:P-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:P-Channel 20V 500mA (Ta) 360mW (Ta), 2.7W (Tc) Surface Mount DFN1006-3
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):1.2V, 4.5V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):20V
وصف:MOSFET P-CH 20V 0.5A
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:500mA (Ta)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لPMZ950UPEYL

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
DMP2039UFDE4-7 Image DMP2039UFDE4-7 Diodes Incorporated MOSFET P-CH 25V 7.3A 6DFN تحقيق
IRLMS1503TR Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 3.2A 6-TSOP تحقيق
AOT254L Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET N-CH 150V 4.2A TO220 تحقيق
IXFP130N10T2 Image IXFP130N10T2 IXYS MOSFET N-CH 100V 130A TO-220 تحقيق
IRF1010ZLPBF Image IRF1010ZLPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 75A TO-262 تحقيق
IXTA38N15T Image IXTA38N15T IXYS MOSFET N-CH 150V 38A TO-263 تحقيق
IRF9392TRPBF Image IRF9392TRPBF Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SOIC تحقيق
IRFH5306TR2PBF Image IRFH5306TR2PBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 15A 5X6 PQFN تحقيق
2N7636-GA GeneSiC Semiconductor TRANS SJT 650V 4A TO276 تحقيق
SPB80N06S2L-07 Image SPB80N06S2L-07 Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK تحقيق
FQPF9N50CT Image FQPF9N50CT Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 500V 9A TO-220F تحقيق
PMZ950UPELYL Image PMZ950UPELYL Nexperia USA Inc. 20 V, P-CHANNEL TRENCH MOSFET تحقيق
IRFZ44VS Image IRFZ44VS Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK تحقيق
IXFT36N60P Image IXFT36N60P IXYS MOSFET N-CH 600V 36A TO-268 D3 تحقيق
IXTA3N100D2 Image IXTA3N100D2 IXYS MOSFET N-CH 1000V 3A D2PAK تحقيق
CSD13306WT Texas Instruments MOSFET N-CH 12V 6DSBGA تحقيق
BSB012NE2LX Image BSB012NE2LX Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 170A WDSON-2 تحقيق
IRLMS6702TR Infineon Technologies MOSFET P-CH 20V 2.4A 6-TSOP تحقيق
SIR496DP-T1-GE3 Image SIR496DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8 تحقيق

Latest الأخبار