PDTC123EE,115
PDTC123EE,115
رقم القطعة:
PDTC123EE,115
الصانع:
NXP Semiconductors / Freescale
وصف:
TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
15209 Pieces
ورقة البيانات:
PDTC123EE,115.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل PDTC123EE,115 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك PDTC123EE,115 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى PDTC123EE,115 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس):50V
اصلاحات تشبع (ماكس) @ باء، جيم:150mV @ 500µA, 10mA
نوع الترانزستور:NPN - Pre-Biased
تجار الأجهزة حزمة:SC-75
سلسلة:-
المقاوم - باعث قاعدة (R2) (أوم):2.2k
المقاوم - قاعدة (R1) (أوم):2.2k
السلطة - ماكس:150mW
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:SC-75, SOT-416
اسماء اخرى:568-2150-2
934058173115
PDTC123EE T/R
PDTC123EE115
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:PDTC123EE,115
تردد - تحول:-
وصف موسع:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount SC-75
وصف:TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75
العاصمة الربح الحالي (HFE) (مين) @ جيم، VCE:30 @ 20mA, 5V
الحالي - جامع القطع (ماكس):1µA
الحالي - جامع (IC) (ماكس):100mA
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات